Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Đã lưu trong:
Hovedforfatter: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Andre forfattere: | Trương, Kim Hiếu |
Format: | Luận văn |
Sprog: | Vietnamese |
Udgivet: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Fag: | |
Online adgang: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Lignende værker
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
af: Danh, Đức
Udgivet: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
af: Nguyễn, Thanh Tùng
Udgivet: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
af: Adhikary, Sourav, et al.
Udgivet: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
af: Leonard, Jason
Udgivet: (2020)