Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Gespeichert in:
1. Verfasser: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Weitere Verfasser: | Trương, Kim Hiếu |
Format: | Abschlussarbeit |
Sprache: | Vietnamese |
Veröffentlicht: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Schlagworte: | |
Online Zugang: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Ähnliche Einträge
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
von: Danh, Đức
Veröffentlicht: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
von: Nguyễn, Thanh Tùng
Veröffentlicht: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
von: Adhikary, Sourav, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
von: Leonard, Jason
Veröffentlicht: (2020)