Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | Trương, Kim Hiếu |
Μορφή: | Thesis |
Γλώσσα: | Vietnamese |
Έκδοση: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
ανά: Danh, Đức
Έκδοση: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
ανά: Nguyễn, Thanh Tùng
Έκδοση: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
ανά: Adhikary, Sourav, κ.ά.
Έκδοση: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
ανά: Leonard, Jason
Έκδοση: (2020)