Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Gorde:
Egile nagusia: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Beste egile batzuk: | Trương, Kim Hiếu |
Formatua: | Luận văn |
Hizkuntza: | Vietnamese |
Argitaratua: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Gaiak: | |
Sarrera elektronikoa: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Antzeko izenburuak
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
nork: Danh, Đức
Argitaratua: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
nork: Nguyễn, Thanh Tùng
Argitaratua: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
nork: Adhikary, Sourav, et al.
Argitaratua: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
nork: Leonard, Jason
Argitaratua: (2020)