Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Đã lưu trong:
Príomhúdar: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Údair Eile: | Trương, Kim Hiếu |
Formáid: | Luận văn |
Teanga: | Vietnamese |
Foilsithe: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Ábhair: | |
Rochtain Ar Líne: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Clibeanna: |
Cuir Clib Leis
Gan Chlibeanna, Bí ar an gcéad duine leis an taifead seo a chlibeáil!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Míreanna Comhchosúla
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
le: Danh, Đức
Foilsithe: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
le: Nguyễn, Thanh Tùng
Foilsithe: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
le: Adhikary, Sourav, et al.
Foilsithe: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
le: Leonard, Jason
Foilsithe: (2020)