Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
שמור ב:
מחבר ראשי: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
מחברים אחרים: | Trương, Kim Hiếu |
פורמט: | Luận văn |
שפה: | Vietnamese |
יצא לאור: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
פריטים דומים
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
מאת: Danh, Đức
יצא לאור: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
מאת: Nguyễn, Thanh Tùng
יצא לאור: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
מאת: Adhikary, Sourav, et al.
יצא לאור: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
מאת: Leonard, Jason
יצא לאור: (2020)