Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Salvato in:
Autore principale: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Altri autori: | Trương, Kim Hiếu |
Natura: | Tesi |
Lingua: | Vietnamese |
Pubblicazione: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Soggetti: | |
Accesso online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documenti analoghi
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
di: Danh, Đức
Pubblicazione: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
di: Nguyễn, Thanh Tùng
Pubblicazione: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
di: Adhikary, Sourav, et al.
Pubblicazione: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
di: Leonard, Jason
Pubblicazione: (2020)