Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
保存先:
第一著者: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
その他の著者: | Trương, Kim Hiếu |
フォーマット: | 学位論文 |
言語: | Vietnamese |
出版事項: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
主題: | |
オンライン・アクセス: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
類似資料
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
著者:: Danh, Đức
出版事項: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
著者:: Nguyễn, Thanh Tùng
出版事項: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
著者:: Adhikary, Sourav, 等
出版事項: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
著者:: Leonard, Jason
出版事項: (2020)