Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Zapisane w:
1. autor: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Kolejni autorzy: | Trương, Kim Hiếu |
Format: | Praca dyplomowa |
Język: | Vietnamese |
Wydane: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Hasła przedmiotowe: | |
Dostęp online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobne zapisy
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
od: Danh, Đức
Wydane: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
od: Nguyễn, Thanh Tùng
Wydane: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
od: Adhikary, Sourav, i wsp.
Wydane: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
od: Leonard, Jason
Wydane: (2020)