Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Na minha lista:
Autor principal: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Outros Autores: | Trương, Kim Hiếu |
Formato: | Luận văn |
Idioma: | Vietnamese |
Publicado em: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Assuntos: | |
Acesso em linha: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Registos relacionados
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
Por: Danh, Đức
Publicado em: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
Por: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicado em: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Por: Adhikary, Sourav, et al.
Publicado em: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Por: Leonard, Jason
Publicado em: (2020)