Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Sparad:
Huvudupphovsman: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Övriga upphovsmän: | Trương, Kim Hiếu |
Materialtyp: | Lärdomsprov |
Språk: | Vietnamese |
Publicerad: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Ämnen: | |
Länkar: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Liknande verk
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
av: Danh, Đức
Publicerad: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
av: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicerad: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
av: Adhikary, Sourav, et al.
Publicerad: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
av: Leonard, Jason
Publicerad: (2020)