Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm

Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Đạo, Thị Kim Anh
Other Authors: Nguyễn, Đăng Chiến
Format: Thesis
Language:Vietnamese
Published: Trường Đại học Đà Lạt 2017
Subjects:
Online Access:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61523
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Institutions: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt