Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả...
Đã lưu trong:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Luận văn |
| 語言: | Vietnamese |
| 出版: |
Trường Đại học Đà Lạt
2017
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61523 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
成為第一個發表評論!