Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều

Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Nguyễn, Thị Thu
Tác giả khác:	Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Luận văn
Ngôn ngữ:	Vietnamese
Được phát hành:	Trường Đại học Đà Lạt 2018
Những chủ đề:	Vật lý
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

id	oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-61531
record_format	dspace
spelling	oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-615312024-05-23T06:40:28Z Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều Nguyễn, Thị Thu Nguyễn, Đăng Chiến Vật lý Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả năng thu nhỏ kích thước vật lý và giới hạn việc giảm điện áp nguồn cấp (power supply voltage) của linh kiện MOSFET. Không giống như MOSFET, tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) hoạt động với cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm (band-to-bandtunneling (BTBT)) của chất bán dẫn; có độ dốc dưới ngưỡng nhỏ hơn 60mV/decade đã được chứng minh bởi lý thuyết và thực nghiệm. Do đó, TFET thích hợp để sử dụng trong các mạch có công suất tiêu thụ thấp và kích thước nhỏ trong tương lai. 2018-01-03T06:52:10Z 2018-01-03T06:52:10Z 2016 Thesis https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 vi Vật lý kỹ thuật;8520401 application/pdf application/pdf Trường Đại học Đà Lạt
institution	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
collection	Thư viện số
language	Vietnamese
topic	Vật lý
spellingShingle	Vật lý Nguyễn, Thị Thu Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
description	Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả năng thu nhỏ kích thước vật lý và giới hạn việc giảm điện áp nguồn cấp (power supply voltage) của linh kiện MOSFET. Không giống như MOSFET, tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) hoạt động với cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm (band-to-bandtunneling (BTBT)) của chất bán dẫn; có độ dốc dưới ngưỡng nhỏ hơn 60mV/decade đã được chứng minh bởi lý thuyết và thực nghiệm. Do đó, TFET thích hợp để sử dụng trong các mạch có công suất tiêu thụ thấp và kích thước nhỏ trong tương lai.
author2	Nguyễn, Đăng Chiến
author_facet	Nguyễn, Đăng Chiến Nguyễn, Thị Thu
format	Thesis
author	Nguyễn, Thị Thu
author_sort	Nguyễn, Thị Thu
title	Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
title_short	Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
title_full	Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
title_fullStr	Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
title_full_unstemmed	Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
title_sort	nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất si/sige sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
publisher	Trường Đại học Đà Lạt
publishDate	2018
url	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531
_version_	1819847966870994944

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều

Những quyển sách tương tự