Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Thesis |
| Γλώσσα: | Vietnamese |
| Έκδοση: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!