Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Thesis |
| Language: | Vietnamese |
| Published: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institutions: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Be the first to leave a comment!