Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Luận văn |
| שפה: | Vietnamese |
| יצא לאור: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!