Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Đã lưu trong:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Luận văn |
| 语言: | Vietnamese |
| 出版: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
成为第一个发表评论!