Mật độ trạng thái bề mặt (Dit) tại phân biên Si/HfO2 trước và sau khi thụ động hóa trong môi trường khí Hydro /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
LEADER | 00842nam a2200241 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | DLU120143122 | ||
005 | ##20121029 | ||
040 | # | # | |a DLU |b vie |
041 | # | # | |a vie |
044 | # | # | |a vn |
100 | # | # | |a L. Truong. |
245 | # | # | |a Mật độ trạng thái bề mặt (Dit) tại phân biên Si/HfO2 trước và sau khi thụ động hóa trong môi trường khí Hydro / |c L. Truong, A.Stesmans. |
700 | # | # | |a A.Stesmans. |
773 | # | # | |t Tuyển tập báo cáo hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI: Vật lý chất rắn Tập 3, |g 2006, tr. 1321-1324 |
920 | # | # | |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
994 | # | # | |a DLU |
900 | # | # | |a True |
911 | # | # | |a Nguyễn Thị Mai Anh |
925 | # | # | |a G |
926 | # | # | |a A |
927 | # | # | |a BB |
980 | # | # | |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |