Mật độ trạng thái bề mặt (Dit) tại phân biên Si/HfO2 trước và sau khi thụ động hóa trong môi trường khí Hydro /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: L. Truong.
Tác giả khác: A.Stesmans.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:Vietnamese
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00842nam a2200241 4500
001 DLU120143122
005 ##20121029
040 # # |a DLU  |b vie 
041 # # |a vie 
044 # # |a vn 
100 # # |a L. Truong. 
245 # # |a Mật độ trạng thái bề mặt (Dit) tại phân biên Si/HfO2 trước và sau khi thụ động hóa trong môi trường khí Hydro /  |c L. Truong, A.Stesmans. 
700 # # |a A.Stesmans. 
773 # # |t Tuyển tập báo cáo hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI: Vật lý chất rắn Tập 3,   |g  2006, tr. 1321-1324 
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Nguyễn Thị Mai Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt