Mật độ trạng thái bề mặt (Dit) tại phân biên Si/HfO2 trước và sau khi thụ động hóa trong môi trường khí Hydro /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | L. Truong. |
---|---|
Tác giả khác: | A.Stesmans. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu lý thuyết tương tác giữa SiHF3 và NH3, CO2, CO, HCN /
Bỡi: Nguyễn Tiến Trung. -
Stigmate: Introduction a l'étude des pays dits en voie de développement
Bỡi: Firouzeh Nahavandi
Được phát hành: (2001) -
Về cách dùng "sau" và "sau khi", "trước" và "trước khi" /
Bỡi: Mai Ngọc Chừ, PGS.TS. -
Nano-diamond thin film prepared by HF-CVD using C2H2/H2 as feed gas
Bỡi: Chu Văn, Chiêm,...
Được phát hành: (2018) -
Tối ưu hóa thành phần môi trường tạo khí hydro sinh học của chủng vi khuẩn kị khí Thermoanaerobacterium Aciditolerans Trau Dat phân lập tại Việt Nam bằng phương pháp đáp ứng bề mặt (RSM) /
Bỡi: Nguyễn Thị Yên.