Photoluminescence properties of ZnO thin film on sapphire substrates fabricated by ion implantation at elevated temperature and thermal oxidation

ZnO thin films on sapphire substrate were fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation. A sapphire substrate was implanted with 50 keV zinc ions at 350 °C with a fluence of 1.5 × 1017 ions cm−2, then annealed in a tube furnace in oxygen ambient in 2 h at 650 °C. Photoluminescence s...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Trịnh, Thị Tú Anh
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: 2023
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:http://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/1665
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168583X09009112#aep-abstract-id12
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt