Photoluminescence properties of ZnO thin film on sapphire substrates fabricated by ion implantation at elevated temperature and thermal oxidation
ZnO thin films on sapphire substrate were fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation. A sapphire substrate was implanted with 50 keV zinc ions at 350 °C with a fluence of 1.5 × 1017 ions cm−2, then annealed in a tube furnace in oxygen ambient in 2 h at 650 °C. Photoluminescence s...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Trịnh, Thị Tú Anh |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/1665 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168583X09009112#aep-abstract-id12 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Growth and characterization of heteroepitaxy ZnO thin film on sapphire substrate with ion implantation followed by thermal oxidation-some preliminary results
Bỡi: Trịnh, Thị Tú Anh
Được phát hành: (2023) -
Ion implantation science and technology
Bỡi: Ziegler, J. F.
Được phát hành: (1984) - Sol-gel synthesis and photoluminescent properties of LaPO4 :A (A= Eu3+, Ce3+, Tb3+) nanocrystalline thin films /
- Near-infrared photoluminescence of lanthanide-doped liquid crystals /
- Synthesis, photoluminescence and electroluminescence of new 1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline derivatives /