Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Owing to the breakthrough of the kT/q thermal limit of 60 mV/decade subthreshold swing at room temperature, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated their potential for energy-efficient applications. Based on the clarified physical properties of band-to-band tunneling, this study de...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Việt Nam
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3309 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023) -
A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)