Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Owing to the breakthrough of the kT/q thermal limit of 60 mV/decade subthreshold swing at room temperature, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated their potential for energy-efficient applications. Based on the clarified physical properties of band-to-band tunneling, this study de...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Conference paper |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
Việt Nam
2024
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3309 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!