Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Owing to the breakthrough of the kT/q thermal limit of 60 mV/decade subthreshold swing at room temperature, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated their potential for energy-efficient applications. Based on the clarified physical properties of band-to-band tunneling, this study de...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference paper |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Việt Nam
2024
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3309 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|