Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριοι συγγραφείς: | Van, Trung Pham, Thi, Nhai Vu, Xuan, Bao Nguyen |
---|---|
Μορφή: | Άρθρο |
Γλώσσα: | Vietnamese |
Έκδοση: |
2023
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=351181 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/185115 |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
ανά: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, κ.ά.
Έκδοση: (2023) -
On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
ανά: Wang, Huaiyu. -
Kết quả điều trị tổn thương móng vảy nến bằng methotrexat tiêm tại mầm móng
ανά: Nguyễn, Hữu Quang, κ.ά.
Έκδοση: (2024) -
Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
ανά: Nguyễn, Văn Nhật
Έκδοση: (2013) -
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
ανά: Lambrechts, Wynand, κ.ά.
Έκδοση: (2020)