Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
שמור ב:
Những tác giả chính: | Van, Trung Pham, Thi, Nhai Vu, Xuan, Bao Nguyen |
---|---|
פורמט: | Bài viết |
שפה: | Vietnamese |
יצא לאור: |
2023
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=351181 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/185115 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
פריטים דומים
-
Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
מאת: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, et al.
יצא לאור: (2023) -
On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
מאת: Wang, Huaiyu. -
Kết quả điều trị tổn thương móng vảy nến bằng methotrexat tiêm tại mầm móng
מאת: Nguyễn, Hữu Quang, et al.
יצא לאור: (2024) -
Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
מאת: Nguyễn, Văn Nhật
יצא לאור: (2013) -
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
מאת: Lambrechts, Wynand, et al.
יצא לאור: (2020)