Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
保存先:
主要な著者: | Van, Trung Pham, Thi, Nhai Vu, Xuan, Bao Nguyen |
---|---|
フォーマット: | 論文 |
言語: | Vietnamese |
出版事項: |
2023
|
主題: | |
オンライン・アクセス: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=351181 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/185115 |
タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
類似資料
-
Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
著者:: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, 等
出版事項: (2023) -
On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
著者:: Wang, Huaiyu. -
Kết quả điều trị tổn thương móng vảy nến bằng methotrexat tiêm tại mầm móng
著者:: Nguyễn, Hữu Quang, 等
出版事項: (2024) -
Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
著者:: Nguyễn, Văn Nhật
出版事項: (2013) -
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
著者:: Lambrechts, Wynand, 等
出版事項: (2020)