Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Luận văn |
| שפה: | Vietnamese |
| יצא לאור: |
Trường Đại học Đà Lạt
2017
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61523 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!