Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Beste egile batzuk: | |
| Formatua: | Luận văn |
| Hizkuntza: | Vietnamese |
| Argitaratua: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Izan zaitez lehena ohar bat uzten!