Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều

類似資料

• Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
  著者:: Nguyễn Thị Thu.
  出版事項: (2016)
• Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
  著者:: Nguyễn Thị Thu.
  出版事項: (2016)
• Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
  著者:: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, 等
  出版事項: (2023)
• SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
  著者:: Lambrechts, Wynand, 等
  出版事項: (2020)
• Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
  著者:: Nguyễn, Đăng Chiến, 等
  出版事項: (2024)