Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Luận văn |
| Язык: | Vietnamese |
| Опубликовано: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ваш комментарий будет первым!