Principles of semiconductor devices
The current gain capability of a Field-Effect-Transistor (FET) is easily explained by the fact that no gate current is required to maintain the inversion layer and the resulting current between drain and source. The device has therefore an infinite current gain in DC. The current gain is inversely p...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Zeghbroeck, Van Bart |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | Undetermined |
| منشور في: |
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
مواد مشابهة
-
Principles of electronic materials and devices
بواسطة: Kasap, S. O.
منشور في: (2006) -
Principles of electronic materials and devices, 3/e
بواسطة: Kasap, S. O.
منشور في: (2006) -
Principles of electronics materials and devices
بواسطة: S. O. Kasap
منشور في: (2002) -
Principles of electronic material and devices
بواسطة: Kasap, S. O.
منشور في: (2002) -
Principle of electronic materials and devices
بواسطة: Kasap, S. O.
منشور في: (2006)