Principles of semiconductor devices

The current gain capability of a Field-Effect-Transistor (FET) is easily explained by the fact that no gate current is required to maintain the inversion layer and the resulting current between drain and source. The device has therefore an infinite current gain in DC. The current gain is inversely p...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Zeghbroeck, Van Bart
פורמט: ספר
שפה:Undetermined
יצא לאור: 2011
נושאים:
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ

פריטים דומים