Principles of semiconductor devices
The current gain capability of a Field-Effect-Transistor (FET) is easily explained by the fact that no gate current is required to maintain the inversion layer and the resulting current between drain and source. The device has therefore an infinite current gain in DC. The current gain is inversely p...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Zeghbroeck, Van Bart |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
2011
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
-
Principles of electronic materials and devices
מאת: Kasap, S. O.
יצא לאור: (2006) -
Principles of electronic materials and devices, 3/e
מאת: Kasap, S. O.
יצא לאור: (2006) -
Principles of electronics materials and devices
מאת: S. O. Kasap
יצא לאור: (2002) -
Principles of electronic material and devices
מאת: Kasap, S. O.
יצא לאור: (2002) -
Principle of electronic materials and devices
מאת: Kasap, S. O.
יצא לאור: (2006)