Transport, correlation, and structural defects /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả khác: Fritzsche, Hellmut.
Định dạng: Sách giấy
Được phát hành: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Loạt:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt