Transport, correlation, and structural defects /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים: Fritzsche, Hellmut.
פורמט: Sách giấy
יצא לאור: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
סדרה:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
נושאים:
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt