Transport, correlation, and structural defects /
Gespeichert in:
| Weitere Verfasser: | |
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| Format: | Sách giấy |
| Veröffentlicht: |
Singapore ; Teaneck, N.J. :
World Scientific,
c1990.
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| Schriftenreihe: | Advances in disordered semiconductors ;
v. 3 |
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| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
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