Transport, correlation, and structural defects /

Đã lưu trong:
书目详细资料
其他作者: Fritzsche, Hellmut.
格式: Sách giấy
出版: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
丛编:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
主题:
标签: 添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

相似书籍