Transport, correlation, and structural defects /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả khác: Fritzsche, Hellmut.
Định dạng: Sách giấy
Được phát hành: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Loạt:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 01033nam a2200349 4500
001 DLU060055875
005 ##19910724131649.3
008 ##901204s1990 si a b 001 0 eng
010 # # |a  90026281  
020 # # |a 9971509733 
020 # # |a 9971509741 (pbk.) 
035 # # |9 (DLC) 90026281 
040 # # |a DLC  |c DLC  |d DLC 
082 # # |a 537.622  |b Tra 
245 # # |a Transport, correlation, and structural defects /  |c edited by Hellmut Fritzsche. 
260 # # |a Singapore ;  |a Teaneck, N.J. :  |b World Scientific,  |c c1990. 
300 # # |a x, 305 p. :  |b ill. ;  |c 23 cm. 
440 # # |a Advances in disordered semiconductors ;  |v v. 3 
504 # # |a Includes bibliographical references and indexes. 
650 # # |a Order-disorder models. 
650 # # |a Semiconductors  |x Defects. 
700 # # |a Fritzsche, Hellmut. 
923 # # |a 26/2006 
992 # # |a 12600 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Thái Thị Thanh Thủy 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a SH 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt