Transport, correlation, and structural defects /

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Andere auteurs: Fritzsche, Hellmut.
Formaat: Sách giấy
Gepubliceerd in: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Reeks:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Onderwerpen:
Tags: Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Omschrijving
Fysieke beschrijving:x, 305 p. : ill. ; 23 cm.
Bibliografie:Includes bibliographical references and indexes.
ISBN:9971509733
9971509741 (pbk.)