Transport, correlation, and structural defects /

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書誌詳細
その他の著者: Fritzsche, Hellmut.
フォーマット: Sách giấy
出版事項: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
シリーズ:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
主題:
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Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
その他の書誌記述
物理的記述:x, 305 p. : ill. ; 23 cm.
書誌:Includes bibliographical references and indexes.
ISBN:9971509733
9971509741 (pbk.)