Transport, correlation, and structural defects /

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Daljnji autori: Fritzsche, Hellmut.
Format: Sách giấy
Izdano: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Serija:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Teme:
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Opis
Opis:x, 305 p. : ill. ; 23 cm.
Bibliografija:Includes bibliographical references and indexes.
ISBN:9971509733
9971509741 (pbk.)