Export byl úspěšný — 

Transport, correlation, and structural defects /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Další autoři: Fritzsche, Hellmut.
Médium: Sách giấy
Vydáno: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Edice:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Popis
Fyzický popis:x, 305 p. : ill. ; 23 cm.
Bibliografie:Includes bibliographical references and indexes.
ISBN:9971509733
9971509741 (pbk.)