Transport, correlation, and structural defects /

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Detalhes bibliográficos
Outros Autores: Fritzsche, Hellmut.
Formato: Sách giấy
Publicado em: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
coleção:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
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Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Descrição
Descrição Física:x, 305 p. : ill. ; 23 cm.
Bibliografia:Includes bibliographical references and indexes.
ISBN:9971509733
9971509741 (pbk.)