Transport, correlation, and structural defects /

Gardado en:
Detalles Bibliográficos
Outros autores: Fritzsche, Hellmut.
Formato: Sách giấy
Publicado: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Series:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Những chủ đề:
Các nhãn: Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt