Transport, correlation, and structural defects /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Fritzsche, Hellmut.
Formato: Sách giấy
Publicado: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Colección:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Materias:
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt