Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | Bae, In-Ho., Choi, Sang-Su., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Improved performance of 1.55 InGaAsP/InP superluminescent diodes by tapered stripe structure /
Bỡi: Choi, Young-Kyu. - Microscopic theory of semiconductors
-
Microscopic theory of semiconductors : quantum kinetics, confinement, and lasers /
Được phát hành: (1995) -
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
Bỡi: Phạm, Thị Thúy Oanh
Được phát hành: (2014)