Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Codi QR

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Altres autors:	Bae, In-Ho., Choi, Sang-Su., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In.
Format:	Article
Idioma:	English
Matèries:	Heterostructure
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Improved performance of 1.55 InGaAsP/InP superluminescent diodes by tapered stripe structure /
per: Choi, Young-Kyu.

Microscopic theory of semiconductors

The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs

Microscopic theory of semiconductors : quantum kinetics, confinement, and lasers /
Publicat: (1995)

Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2021)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
per: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Publicat: (2023)

Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2021)

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
per: Adhikary, Sourav, et al.
Publicat: (2020)

RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
per: Nguyen, Linh Chi, et al.
Publicat: (2023)

Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2022)

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
per: Leonard, Jason
Publicat: (2020)

AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
per: Nguyen Quy Tuan

Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2022)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
per: Tran, Thi Hai, et al.
Publicat: (2025)

Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
per: Phạm, Thị Thúy Oanh
Publicat: (2014)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
per: Đặng, Hồng Cám
Publicat: (2012)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
per: Danh, Đức
Publicat: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
per: Than, Hồng Phúc, et al.
Publicat: (2025)

Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
per: Nguyễn, Thanh Tuấn
Publicat: (2013)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
per: Nguyễn, Văn Mạnh, et al.
Publicat: (2025)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
per: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicat: (2012)

Properties of Synthetic Two-Dimensional Materials and Heterostructures
per: Lin, Yu-Chuan
Publicat: (2020)

WCARRD N.79.3
per: FAO
Publicat: (1988)

WCARRD N.79.2
per: FAO
Publicat: (1988)

WCARRD N.79.1
per: FAO
Publicat: (1988)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
per: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Publicat: (2025)

Power GaN Devices
per: Meneghini, Matteo, et al.
Publicat: (2020)

Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
per: Tiêu, Tín Nguyên
Publicat: (2017)

FAO forestry paper N.79
per: FAO
Publicat: (1987)

Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
per: Thi, Tran Anh Tuan
Publicat: (2015)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
per: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicat: (2011)

World animal review; 1994; N.79
per: FAO
Publicat: (1994)

World soil resources reports N79
per: Hakan Jansson
Publicat: (1995)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
per: Doan, Minh Quang, et al.
Publicat: (2023)

Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Studies of 2D Material Heterostructures
per: Wang, Eryin
Publicat: (2020)

Tham số tới hạn trong các perovskite La0.7Sr0.3Mn1-xMxO3 (x=0, 0.05; M=Al, Ti) = Critical parameters in perrovskite La0.7Sr0.3Mn1-xMxO3 (x=0, 0.05; M=Al, Ti)
per: Lê, Viết Báu, et al.
Publicat: (2023)

High-Frequency GaN Electronic Devices
per: Fay, Patrick, et al.
Publicat: (2020)

Digit5al Signal Processing (0 19 513638 1)
per: CHi-TSONG CHEN
Publicat: (2000)