Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

क्यूआर कोड

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

में बचाया:

ग्रंथसूची विवरण
अन्य लेखक:	Bae, In-Ho., Choi, Sang-Su., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In.
स्वरूप:	लेख
भाषा:	English
विषय:	Heterostructure
टैग :	टैग जोड़ें कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

समान संसाधन

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Improved performance of 1.55 InGaAsP/InP superluminescent diodes by tapered stripe structure /
द्वारा: Choi, Young-Kyu.

Microscopic theory of semiconductors

The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs

Microscopic theory of semiconductors : quantum kinetics, confinement, and lasers /
प्रकाशित: (1995)

Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
द्वारा: Than, Hong Phuc, और अन्य
प्रकाशित: (2021)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
द्वारा: Doan, The Ngo Vinh, और अन्य
प्रकाशित: (2023)

Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
द्वारा: Than, Hong Phuc, और अन्य
प्रकाशित: (2021)

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
द्वारा: Adhikary, Sourav, और अन्य
प्रकाशित: (2020)

RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
द्वारा: Nguyen, Linh Chi, और अन्य
प्रकाशित: (2023)

Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
द्वारा: Than, Hong Phuc, और अन्य
प्रकाशित: (2022)

AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
द्वारा: Nguyen Quy Tuan

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
द्वारा: Leonard, Jason
प्रकाशित: (2020)

Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
द्वारा: Than, Hong Phuc, और अन्य
प्रकाशित: (2022)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
द्वारा: Tran, Thi Hai, और अन्य
प्रकाशित: (2025)

Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
द्वारा: Phạm, Thị Thúy Oanh
प्रकाशित: (2014)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
द्वारा: Đặng, Hồng Cám
प्रकाशित: (2012)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
द्वारा: Danh, Đức
प्रकाशित: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
द्वारा: Than, Hồng Phúc, और अन्य
प्रकाशित: (2025)

Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
द्वारा: Nguyễn, Thanh Tuấn
प्रकाशित: (2013)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
द्वारा: Nguyễn, Văn Mạnh, और अन्य
प्रकाशित: (2025)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
द्वारा: Nguyễn, Văn Mạnh
प्रकाशित: (2012)

Properties of Synthetic Two-Dimensional Materials and Heterostructures
द्वारा: Lin, Yu-Chuan
प्रकाशित: (2020)

WCARRD N.79.3
द्वारा: FAO
प्रकाशित: (1988)

WCARRD N.79.2
द्वारा: FAO
प्रकाशित: (1988)

WCARRD N.79.1
द्वारा: FAO
प्रकाशित: (1988)

Power GaN Devices
द्वारा: Meneghini, Matteo, और अन्य
प्रकाशित: (2020)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng, और अन्य
प्रकाशित: (2025)

Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
द्वारा: Tiêu, Tín Nguyên
प्रकाशित: (2017)

FAO forestry paper N.79
द्वारा: FAO
प्रकाशित: (1987)

Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
द्वारा: Thi, Tran Anh Tuan
प्रकाशित: (2015)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
द्वारा: Nguyễn, Thanh Tùng
प्रकाशित: (2011)

World animal review; 1994; N.79
द्वारा: FAO
प्रकाशित: (1994)

World soil resources reports N79
द्वारा: Hakan Jansson
प्रकाशित: (1995)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
द्वारा: Doan, Minh Quang, और अन्य
प्रकाशित: (2023)

Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Studies of 2D Material Heterostructures
द्वारा: Wang, Eryin
प्रकाशित: (2020)

Tham số tới hạn trong các perovskite La0.7Sr0.3Mn1-xMxO3 (x=0, 0.05; M=Al, Ti) = Critical parameters in perrovskite La0.7Sr0.3Mn1-xMxO3 (x=0, 0.05; M=Al, Ti)
द्वारा: Lê, Viết Báu, और अन्य
प्रकाशित: (2023)

High-Frequency GaN Electronic Devices
द्वारा: Fay, Patrick, और अन्य
प्रकाशित: (2020)

Digit5al Signal Processing (0 19 513638 1)
द्वारा: CHi-TSONG CHEN
प्रकाशित: (2000)