Chuyển đến nội dung
החשבון שלך
יציאה מהחשבון
כניסה לחשבון
שפה
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
חיפוש
Modified trench MOS barrier sc...
תיאור
יצירת מראה מקום
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
יצוא אל MARC
יצוא אל MARCXML
יצוא אל RDF
יצוא אל BibTeX
יצוא אל RIS
הוספה למועדפים
Modified trench MOS barrier schottky (TMBS) rectifier /
שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:
Moon, Jin-Woo.
מחברים אחרים:
Choi, Yearn-Ik.
,
Chung, Sang-Koo.
פורמט:
Bài viết
שפה:
English
נושאים:
Rectifier
Schottky
TMBS
Trench
תגים:
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ:
Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
מלאי ספרים
תיאור
הערות
פריטים דומים
תצוגת צוות
תיאור
תיאור לא זמין.
פריטים דומים
Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories
מאת: Jr-Jie Tsai, et al.
יצא לאור: (2023)
Jorgensen's inequality for classical Schottky groups of real type II /
מאת: Sato, Hiroki.
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
מאת: Chun-Hsing Shih, et al.
יצא לאור: (2024)
Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
מאת: Hung-Jin Teng, et al.
יצא לאור: (2021)
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
מאת: Chun-Hsing Shih, et al.
יצא לאור: (2024)
טוען...