Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages

A new Schottky barrier (SB) nonvolatile nanowire memory is reported experimentally with efficient low-voltage programming and erasing. By applying an SB source/drain to enhance the electrical field in the silicon gate-all-around nanowire, the nonvolatile silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) m...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Chun-Hsing Shih, Wei Chang, Yan-Xiang Luo, Ji-Ting Liang, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến, Ruei-Kai Shia, Jr-Jie Tsai, Wen-Fa Wu, Chenhsin Lien
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3298
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt