Modified trench MOS barrier schottky (TMBS) rectifier /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Moon, Jin-Woo. |
---|---|
Tác giả khác: | Choi, Yearn-Ik., Chung, Sang-Koo. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories
Bỡi: Jr-Jie Tsai, et al.
Được phát hành: (2023) -
Jorgensen's inequality for classical Schottky groups of real type II /
Bỡi: Sato, Hiroki. -
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2021) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)