Modified trench MOS barrier schottky (TMBS) rectifier /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Moon, Jin-Woo. |
|---|---|
| Další autoři: | Choi, Yearn-Ik., Chung, Sang-Koo. |
| Médium: | Článek |
| Jazyk: | English |
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobné jednotky
-
Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories
Autor: Jr-Jie Tsai, a další
Vydáno: (2023) -
Jorgensen's inequality for classical Schottky groups of real type II /
Autor: Sato, Hiroki. -
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Autor: Chun-Hsing Shih, a další
Vydáno: (2024) -
Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
Autor: Hung-Jin Teng, a další
Vydáno: (2021) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Autor: Chun-Hsing Shih, a další
Vydáno: (2024)