Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories

This paper examines the temperature effect of Schottky barrier source/drain charge-trapping memories. The current-voltage curves and programming/erasing characteristics are experimentally investigated at room temperature and higher 85 °C and 125 °C. 2-D device simulations were performed to elucidate...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Jr-Jie Tsai, Wen-Fa Wu, Yu-Hsuan Chen, Hung-Jin Teng, Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: 2023
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2073
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt