Ionizing radiation effects in MOS oxides
This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides. There has been a significant amount of work on the nature of the electrically active defects in MOS oxides whi...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Oldham, Timothy R. |
---|---|
Tác giả khác: | Timothy R. Oldham |
Ngôn ngữ: | Undetermined English |
Được phát hành: |
Singapore,River Edge, NJ
World Scientific
1999
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |
---|
Những quyển sách tương tự
-
The MOS memory data book for design engineers
Được phát hành: (1979) -
Modern MOS technology :
Bỡi: Ong, DeWitt G.
Được phát hành: (1984) -
Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (1999) -
Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (2011) -
Ionzing radiation effects in mos oxides /
Bỡi: Oldham, Timothy R.
Được phát hành: (1999)