Ionizing radiation effects in MOS oxides
This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides. There has been a significant amount of work on the nature of the electrically active defects in MOS oxides whi...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | Oldham, Timothy R. |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | Timothy R. Oldham |
| ভাষা: | Undetermined English |
| প্রকাশিত: |
Singapore,River Edge, NJ
World Scientific
1999
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
The MOS memory data book for design engineers
প্রকাশিত: (1979) -
Operation and modeling of the MOS transistor
অনুযায়ী: Yannis Tsividis
প্রকাশিত: (1999) -
Modern MOS technology :
অনুযায়ী: Ong, DeWitt G.
প্রকাশিত: (1984) -
Operation and modeling of the MOS transistor
অনুযায়ী: Yannis Tsividis
প্রকাশিত: (2011) -
Ionizing Radiation Effects in Mos Oxides (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology /
অনুযায়ী: Oldham Timothy R
প্রকাশিত: (2000)


