Lonizing radiation effects in mos oxides

This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autor: Oldham, Timothy R
Format: Knjiga
Jezik:Vietnamese
Izdano: Singapore World Scientific 1999
Serija:International advances in solid state electronics and technology
Teme:
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Nam Cần Thơ