AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators

Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Nguyen Quy Tuan
שפה:eng
גישה מקוונת:https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng

פריטים דומים