Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
The heterostructure technique has recently demonstrated an excellent solution to resolve the trade-off between on- and off-state currents in tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper shows the weakness of abrupt heterojunctions and explores the physics of drive current enhancement as well...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
AIP Publishing
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3293 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|