On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
This work explores the limitation of high-k gate insulator on improving the driving currents of MOSFET devices. The use of high-k gate dielectric prevents from the gate tunneling current to have an acceptable equivalent oxide thickness (EOT) in scaled MOSFETs. However, the effectiveness of continued...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Elsevier
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3296 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|