Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors

The hetero-gate dielectric (HGD) engineering not only suppresses the ambipolar current but also enhances the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). Based on two-dimensional device simulations, we examined the roles and designs of hetero-gate dielectric structure in single- and double...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Nguyễn, Đăng Chiến, Huynh Thi Hong Tham, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Dalat University 2023
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:http://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2071
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt