Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Scaling down the body thickness (Tb) of double-gate tunnel field-effect transistors (DG-TFETs) is helpful in suppressing short-channel effects (SCEs), but it may give rise to thin-body effects (TBEs). Based on 2-D device simulations, this study examines the mechanisms and influences of TBEs in DG-TF...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IOP Publishing
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3287 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|